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虽然距离中子简并态材料,还有很遥远的距离。
但电子简并态密度的一万倍,这已经是一个极为夸张的突破。
并且,用的还是三种路线中,被认为是最难成功的方法。
利用了反物质湮灭的极端局部高压,最终完成了这一壮举,而这一方式也被林韵称为反物质的催化压缩。
而最妙的是,在利用这种方法打造超高密度的简并态材料时,还能同步对其进行构造刻画。
并不需要在打造出材料之后,再对该材料进行加工。
省去了这极为困难的一步。
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